2010年3月26日 星期五

都柏林實驗室為英特爾奈米技術紮根

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1994年,英特爾(Intel)愛爾蘭公司的現任製程工程部門經理暨研究專案經理Leonard Hobbs曾協助英特爾將0.5微米CMOS製程移轉到都柏林,打造了當時英特爾最先進的Fab 10晶圓廠。如今,這個在英特爾待了19年的老將,將負責該公司在歐洲的奈米科技研究專案。

Hobbs指出,這項研究主要是著眼於未來5到10年左右的先進技術。而隨著各項先進技術逐漸接近部署階段,他們也將陸續把各項技術傳遞回美國奧勒岡州的波特蘭總部──在那裡,英特爾向來閉門造車地獨自進行開發工作。

英特爾一直試圖透過贊助各大學院校以及和歐洲研究單位的合作來強化其研究。“大約在6~7年前,愛爾蘭政府啟動了 ‘Science Funding Ireland’計劃,開始以贊助的方式吸引專家學者回國。我們運用了這項優勢,並參與了其中的運作,”Hobbs說。

大部分的英特爾奈米技術研究,都是與都柏林三一學院(Trinity College Dublin)的自適應奈米架構暨奈米元件研究中心(Center for Research on Adaptive Nanostructures and Nanodevices;CRANN),以及位於科克(Cork)的廷德爾研究院(Tyndall Institute)共同完成的。因此,愛爾蘭的英特爾研究員們能夠展現更高的效率,在能夠為英特爾帶來利益的研究方面發揮更大的影響力,Hobbs表示。此外,這樣的協同工作還有助英特爾發掘出更具潛力的奈米科技人才。

談到研究工作本身,“我們並不會太側重於10奈米的發展,”他說。因為“32奈米已經就緒;22奈米即將在2011年實現,而在波特蘭的夥伴們則正在研究16奈米。”

Hobbs 認為,目前主要的挑戰是持續發展自組裝圖形和微影技術;以及金屬化挑戰,包括如何以及是否可持續微縮銅、是否能以碳來取代,以及有沒有可能在電晶體通道中以更高遷移率的材料如砷化銦鎵來取代矽。

“在後端製程,low-k材料也是一大挑戰,”Hobbs說。“我們一直將注意力放在矽和相關材料,如III-V族。但自組裝和單一原子的運動也非常關鍵。碳也是相當值得注意的領域,因為銅愈來愈難以在下一代製程擔負重任了。對於銅來說,最大的阻力來自於更小的尺寸,要容納內襯和阻障層也變得更加困難。”

英特爾大部分與碳材料相關的開發工作都與法國格勒諾布爾的CEA-Leti共同進行,後者還參與了歐洲奈米電子產業諮詢委員會(European Nanoelectronics Industry Advisory Council),並讓英特爾歐洲轉向450mm晶圓製造。

一般來說,當轉向11奈米製程節點時,大家都知道元件結構與外形將會有很大不同。但Hobbs表示,元件方面是波特蘭團隊所負責的領域。儘管一些研究工作必須依照所認定的架構來進行,但一般來說,英特爾歐洲研究小組所進行的這種純粹材料的測量,並不需要知道相關架構。

最終,Hobbs說,“這些研究以及元件都將會串連在一起。”


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