IBM「Racetrack記憶體」技術研究獲新進展

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文/范眠 -Racetrack記憶體能結合磁性硬碟成本低廉，及快閃記憶體速度加快的兩種技術優點，將資料儲存在僅有數十奈米寬的racetrack磁性區域中。研究人員表示，利用此技術能製造出較現行硬碟容量大100倍的儲存裝置，但所耗的電源更低。

IBM Racetrack記憶體研究獲得重大進展，發現一項全新的物理特性，使得這種可結合快閃記憶體和磁性儲存裝置特性的新一代記憶體技術，越來越可能接近實現。

IBM實驗室自六年前便開始投入Racetrack記憶體的研發。IBM表示，目前使用的磁性硬碟雖然成本低廉，但資料傳輸速度慢，而以快閃記憶體為基礎的固態硬碟，雖然速度加快，但卻較為昂貴。Racetrack記憶體能結合這兩種技術的優點，將資料儲存在僅有數十奈米寬的racetrack磁性區域中。

根據發表在這一期「科學」(Science)月刊中的最新發現，IBM成功研究出精密控制這些racetrack磁性區域的方法，不但能提升100倍的儲存容量，同時透過電子脈衝控制，可將racetrack中磁性位元的移動速度加快到每小時數百公里，並能停留在正確的位置上，因此，未來有可能實現在十億分一秒內傳輸大量的儲存資料。

未來，電腦系統在使用Racetrack記憶體時，不再是由電腦去racetrack中尋找所需的資料，而是儲存數據的磁性位元會在racetrack中往返移動，自動將資料送到所需的地方。研究人員表示，利用此技術能製造出較現行硬碟容量大100倍的儲存裝置，但所耗的電源更低。

IBM院士Stuart Parkin博士表示，過去我們並未發現racetrack磁性區域的加速與減速特性，現在已經知道僅需透過改變電流脈衝波長的方式，就可以移動儲存在racetrack中的磁性位元。

IBM這項對於racetrack記憶體的研究是一重大進展，這是第一次科學家能更清楚掌握racetrack記憶體對電流脈衝的反應、以及資料如何在racetrack中移動。這項前所未有的發現，將有助於進一步控制Racetrack記憶體的磁性區域，也使其朝商業化發展邁出了一大步。