日本製造出只有一個原子厚的硅薄膜

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 新華社東京５月３１日電（記者藍建中）日本北陸尖端科學技術大學院大學３０日宣佈，其研究小組開發出能製作大面積硅薄膜“ｓｉｌｉｃｅｎｅ”的技術。這種只有一個原子厚的薄膜，可具備半導體的性質，有望用於製造高速電子線路等。
    研究小組在２釐米長、１釐米寬的硅基板表面，覆蓋上陶瓷薄膜，然後在特殊真空裝置中將其加熱到９００攝氏度。於是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出現在陶瓷薄膜表面，形成硅薄膜。如果將基板做得更大，就可以製作出更大面積的硅薄膜。
    只有一個碳原子厚的石墨烯是迄今世界上最薄的材料，它的發明者因為這種具備諸多神奇性質的材料獲得了２０１０年諾貝爾物理學獎。“ｓｉｌｉｃｅｎｅ”被譽為硅版石墨烯而受到物理學界的關注。
    研究小組帶頭人、北陸尖端科學技術大學院大學副教授高村由起子指出：“今後的課題是弄清‘ｓｉｌｉｃｅｎｅ’的形成機制，並開發出將這種薄膜從基板上剝離下來的技術。”