台灣ＭＲＡＭ技術 與國際同步

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中國時報 【陳界良】磁阻式隨機記憶體（MRAM）被視為取代目前DRAM、SRAM與Flash的熱門記憶體，台灣自旋科技研究中心研發MRAM獲重大突破，成功製造出高儲存密度1G的MRAM，技術已與最先進的國際大廠同步，備受美日韓產學的矚目。

　第六屆「台灣自旋電子學國際學術研討會」在僑光科大登場，今年除邀請世界唯二生產MRAM的美國MagIC與EverSpin公司的專家來台外，日本AIST研究院、韓國高麗大學、美國IBM、Avalanche等公司也出席，討論當今最熱門的自旋電子科技與相關物理現象。

　由雲科大自旋中心主任吳德和博士帶領的研究團隊，包括雲科大、中正大學與彰師大三所學校，在經濟部協助下展開MRAM研究，雖然研究設備遠不如國際大廠，今年仍獲得重大突破，成功研發出儲存密度高達1G的MRAM，技術已與最先進的國際大廠同步。

　也是僑光科技大學校長的台灣磁性技術協會理事長吳德和指出，與目前的DRAM、SRAM等記憶體相較，MRAM具有速度快、省電、可與半導體技術結合等優點，堪稱綠色的記憶體，未來相當有潛力，目前全球只有美國兩家公司在生產，容量最高只到16M。