科學家研發可快速揀選出半導體碳奈米管的成像技術

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美國普渡大學(Purdue University)開發出一種成像工具，能快速檢視出單壁(single-wall)碳奈米管，以挑選出半導體版本的奈米管。

開發以上影像技術的是普渡大學生物醫療工程暨化學系副教授Ji-Xin Cheng所率領的團隊，該技術只需要一個步驟，就可排除在製造過程中所形成的、會污染半導體奈米管的金屬(metallic)版本奈米管。

要分別出金屬與半導體版本的奈米管，是希望能讓奈米管取代矽材料的過程中，科學家長期尋求達成的目標。

「這套影像系統是用一道脈衝雷射(pulsing laser)將能量置入奈米管中，讓奈米碳管由基態(ground state)躍遷至激發態(excited state)；然後再用雷射探針來感應被激發的奈米管，並讓金屬與半導體奈米管之間的對比顯露出來。」Cheng表示。

Cheng指出，該種瞬態吸收(transient absorption)成像技術是唯一可快速分辨出兩種奈米管差異的技術，而且不需要用染料來標記奈米管，因此很適合實際製造過程使用。

研究人員用放置在玻璃表面上的奈米管來進行該技術的示範，未來的研究工作將專注於放置在矽晶表面的奈米管成像，已決定該技術是否適合工業應用。「我們已經展開利用矽基板的研究，初步結果非常好。」Cheng透露。

未來其他的工作，可能還包括研究電子如何在單奈米管中遷移；這個研究專案是由美國國家科學基金會(NSF)所贊助。